Ionel Stavarache

Nascut in Alexandria, Teleorman, Romania. A absolvit in 2003, Sectia de  Spectroscopie, Plasmă, Optică & Laseri in cadrul Facultatii de Fizică, Universitatea din București. In acelasi an, 2003, este angajat la Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Fizica Materialelor (INCDFM). După finalizarea cursurilor de masterat (2003-2005, Sectia Spectroscopie, Plasmă, Optică & Laseri), a continuat studiile de doctorat la aceeași facultate în domeniul materiei condensate. Astăzi, este Cercetător principal gradul II în INCDFM și are experiență în: -procesarea filmelor/straturilor in camera curata (nise chimice, spinner, fotolitografie, metalizari); -depuneri prin pulverizare catodica cu magnetron și evaporare (clasica sau e-beam) de filme și structuri multistrat (SiO₂, Al₂O₃, TiO₂, Si₃N₄, HfO₂, Si, Sn și Ge) cu monitorizare in situ a profilului utilizând elipsometrie; -nanostructurarea prin tratarea termică (RTA și cuptor convențional) a Ge, Sn sau Si pentru utilizarea lor în aplicații de senzori optici și memorii nevolatile; – caracterizarea lor complexă (investigații electrice și fotoelectrice).  

Cateva publicatii recente:

[1] I. Stavarache, O. Cojocaru, V.A. Maraloiu, V.S. Teodorescu, T. Stoica, M.L. Ciurea, Effects of Ge-related storage centers formation in Al2O3 enhancing the performance of floating gate memories, Applied Surface Science 542, Art. No: 148702 (2021);

[2] C. Palade, I. Stavarache, T. Stoica, M.L. Ciurea, GeSi nanocrystals photo-sensors for optical detection of slippery road conditions combining two classification algorithms, Sensors 20(21), Art. No: 6395 (2020);

[3] I. Stavarache, C. Logofatu, M.T. Sultan, A. Manolescu, H.G. Svavarsson, V.S. Teodorescu, M.L. Ciurea, SiGe nanocrystals in SiO₂ with high photosensitivity from visible to short-wave infrared, Scientific Reports 10(1), Art. No: 3252 (2020);

[4] C. Palade, A. Slav, A.M. Lepadatu, I. Stavarache, I.  Dascalescu, V.A. Maraloiu, C. Negrila, C. Logofatu, T. Stoica, V.S. Teodorescu, M.L. Ciurea, S. Lazanu, Orthorhombic HfO₂ with embedded Ge nanoparticles in nonvolatile memories used for the detection of ionizing radiation, Nanotechnology 30(44), Art. No: 445501 (2019);

[5] M.T. Sultan, V.A. Maraloiu, I. Stavarache, J.T. Gudmundsson, A. Manolescu, V.S. Teodorescu, M.L. Ciurea, H.G. Svavarsson, Halldor Gudfinnur, Fabrication and characterization of Si1-xGex nanocrystals in as-grown and annealed structures: a comparative study,Beilstein Journal of Nanotechnology 10, 1873-1882 (2019);

[6] P. Prepelita, I. Stavarache, D. Craciun, F. Garoi, C. Negrila, B.G. Sbarcea, V. Craciun, Rapid thermal annealing for high-quality ITO thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering,Beilstein Journal of Nanotechnology 10, 1511-1522 (2019);

[7] I. Stavarache, V.S. Teodorescu, P. Prepelita, C. Logofatu, M.L. Ciurea, Ge nanoparticles in SiO₂ for near infrared photodetectors with high performance,Scientific Reports 9, Art. No: 10286 (2019). [8] A. Slav, C. Palade, C. Logofatu, I. Dascalescu, A.M. Lepadatu, I. Stavarache, F. Comanescu, S. Iftimie, S. Antohe, S. Lazanu, V.S. Teodorescu, D. Buca, M.L. Ciurea, M. Braic, T. Stoica, GeSn Nanocrystals in GeSnSiO2 by Magnetron Sputtering for Short-Wave Infrared Detection, ACS Applied Nano Materials 2(6), 3626–3635 (2019).